LED电流的调整
图3电路在闪光和摄像模式时的LED电流可通过外部电阻来进行调节。
在闪光模式,LED电流的大小由位于STB和GND之间的电阻RSTB来设置。在该模式,芯片STB端的电压VSTB应调至0.6V,此时,LED中流过的电流与STB脚电流的增益比理论上可以达到1000。而实际上,通过RSTB设置LED电流的大小由下式给出比较合适：
RSTB=600/ILED(DESIRED)
而在摄像模式,LED电流的大小则由位于MOV和GND之间的电阻RMOV来决定。该模式时,芯片MOV端的电压VMOV亦应调至0.6V,但其LED电流与MOV脚电流的理论增益则为100,通过RMOV设置LED电流的实际计算公式应为：
RMOV=60/ ILED(DESIRED)
充电电容器及电流限制
在闪光模式,MAX1583中的电流必须经过快速转换器处理才能获取所需的LED闪光电流。但MAX1583有250mA、500mA及1A等三个出厂预设电流限制。因此,电路在工作时,一旦LED电流高于芯片的电流门限值,MAX1583内部的MOSFET将在极短时间内关断以使输出电流下降,从而完成一次闪光操作。实际上,设计时可通过OUT和GND 之间的充电电容来获得更大的LED电流,该充电电容器的电容值可由下式计算：
CRES=(ILED IBOOST)tSTROBE /(24V-nVF)
式中, ILED是所需的LED闪光电流,IBOOST是转换控制器的最大电流,tSTROBE是闪光持续的时间,n是电路中串联的白色LED个数,VF是LED的正向压降。
假如图3电路中MAX1583的最小输入电压为3.2V,所需的LED闪光电流为100mA, MAX1583的转换控制电流设定为75mA,两个串连在一起的LED的正向电压为4V,希望闪光持续的时间为30ms,那么,充电电容CRES则可由下式决定：
CRES=(100mA 75mA) 30mA/[24V-(2 4V)]＝47 F
输入电容选择
电路中的陶瓷电容C1主要用于输入旁路,该电容应尽量靠近芯片。值得注意的是：不同芯片所用的输入旁路电容器的电容值有所不同,MAX1583X所需的旁路电容值为22 F, MAX1583Y所需的旁路电容值为10 F,而MAX1583Z则只需4 F就可以了。
输出电容选择
闪光模式时所需的输出电容的容量应由所需的LED电流及脉冲周期来决定。需注意的是：输出电容的耐压必须大于25V。另外,设计时还应在整个串联LED的两端跨接一个0.1 F/25V的储能电容器。
电感的选择
电路中的电感选择范围一般为4.7 H~47 H。当输入电压接近5V时,使用较大的电感会取得更好的效果。设计时,为了保证其中心饱和度,应确保电感的额定饱和电流不小于MAX1583的限制电流（250mA,500mA,1A）。
肖特基二极管的选择
在电路中MAX1583的LX端外接一个高速整流二极管D1能够达到更好的效果。最好采用快恢复和前向压降较小的二极管。同时应确保二极管的平均电流和峰值电流分别高于MAX1583的平均输出电流和限制电流（250mA,500mA,1A）。另外,二极管的反向击穿电压也必须高于电路的输出电压VOUT。
