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DFN1006-2L封装双向ESD保护芯片DC1221P1L 12V 180W 8A 30PF
12V ESD TVS二极管）
DC1221P1L特性：
小体积：1.0x0.6x0.5mm
反向截止电压(Vrwm):12V
击穿电压:13.3V
在额定电压下，漏电流小于0.2uA
低钳位电压VC小于22.5V（8A 8/20uS)
通过IEC61000-4-2（ ESD）：±30 kV--空气 ±30kV--接触
通过IEC61000-4-5（Lightning）： 8A(8/20uS)
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
外壳：DFN1006-2L封装端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
盘装Packaging:10000/Tape & Reel
静电防护二极管DFN1006封装
瞬态电压抑制器二极管可防止过电压损坏敏感电子元件。 由于其紧凑型封装， 瞬态电压抑制器二极管特别适用于如下应用：手机、LCD、USB 2.0/OTG、MMC 接口、SD 卡接口、MDDI 端口、SIM 端口、键盘和千兆位以太网。
封装：DFN1006/SLP1006P2/0402 10K/盘
特点：
工作电压:5.0 V
单路,单向，双向保护可选；
低电容(<0.5 pF)高速接口；
低漏电流；nA级
主要应用：
高速线:USB1.0/2.0,VGA,DVI,SDI,
串行和并行端口
笔记本、台式机、服务器
投影电视
手机及配件
便携式仪器
DC3311P0
DC3321P0
DC0521P0
DL0521P0
DC3301P1
DC3321P1
DL3321P0S
DC4581P1L
DC4581P1
DC0501P1
DC0511P1
DC0521PZ
DC0521P1L
DL0521P1
DL0501P1
DC1201P1
DC1211P1
DC1221P1
DC1231P1
DC3601P1
DC0521D5
特点：
工作电压:5.0 V
单路,单向，双向保护可选；
低电容(<0.5 pF)高速接口；
低漏电流；nA级
主要应用：
高速线:USB1.0/2.0,VGA,DVI,SDI,
串行和并行端口
笔记本、台式机、服务器
投影电视
手机及配件
便携式仪器
