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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
陈!!! 18.06.05.03.85.3
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CLCN-A/B LCN I/O card CE
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CLCN-A LCN I/O Card CE
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CLCN-B LCN I/O Card CE
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CLCNA/B LCN I/O non-CE
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CLCN-A/B LCN I/O short CE
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5-slot chassis Fan Assy
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5 slot chassis pwr supply
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