主营产品：恒流IC,电源IC,电子IC,驱动IC，MOS管和降压IC,升压IC
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| 详细参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 世向 | 型号 | AP2N10 |
| 种类 | 绝缘栅型 | 导电方式 | 耗尽型 |
| 沟道类型 | N沟道 | 可测气体 | 其他 |
| 加工定制 | 否 | 产地 | 深圳 |
Green Device Available
Super Low Gate ChargeExcellent Cdv/dt effect decline
Advanced high cell density Trenchtechnology
TheAP2N10 is the high cell density trenchedN-ch MOSFETs, which provides excellent RDSONand efficiency for most of the small powerswitching and load switch applications.Themeet the RoHS and Green Productrequirement with full function reliability approved.
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