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以下,按着化学气相沉积的研发历程,分别简介「常压化学气相沉积」、哈默纳科蒸汽炉谐波传动SHD-20-100-2SH「低压化学气相沉积」、及「电浆辅助化学气相沉积」:
1、 常压化学气相沉积(AtmosphericPressureCVD;APCVD)
最早研发的CVD系统,顾名思义是在一大气压环境下操作,哈默纳科蒸汽炉谐波传动SHD-20-100-2SH设备外貌也与氧化炉管相类似。欲成长之材料化学蒸气自炉管上游均匀流向硅晶,至于何以会沉积在硅晶表面,可简单地以边界层(boundarylayer)理论作定性说明: 当具黏性之化学蒸气水平吹拂过硅芯片时,硅芯片与炉管壁一样,都是固体边界,哈默纳科蒸汽炉谐波传动SHD-20-100-2SH因着靠近芯片表面约1mm的边界层内速度之大量变化(由边界层外缘之蒸气速度减低到芯片表面之0速度),会施予一拖曳外力