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刻蚀：是采用化学和物理方法，有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，刻 蚀的目的是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形，可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。硅片的 刻蚀气体主要是氟基气体，包括 CF4、CF4/O2、SF6、C2F6/O2、NF3 等，但由于其各向同 性，选择性较差，因此改进后的刻蚀气体通常包括氯基(Cl2)和溴基(Br2、HBr)气体。 铝和金属复合层的刻蚀通常采用氯基气体，如 CCl4、Cl2、BCl3 等。
掺杂：是将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以改变半导体电学性质，形成 pn 结、电阻、欧姆接触等。常用的三价掺杂气体有 B2H6、BBr3、BF3 等，常用的五价掺 杂气体有 PH3、POCl3、AsH3、SbCl5 等。
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薄膜晶体管（TFT）和液晶显示器（LCD）具有体积小、重量轻、低辐射、低耗电量、 全彩化、速度快、对比度和亮高、屏幕观察角度大、分辨率高等优点，是目前主流的平 面显示设备。TFT/LCD 的生产包括 TFT 阵列(包括薄膜、光刻、刻蚀)、彩色滤光片(包 括黑矩阵膜、红绿蓝膜、透明导电层)、面板、模组等工序。薄膜工序，通过化学气相 沉积，在玻璃基板上沉积 SiO2、SiNx、a2Si、n 型 a2Si 薄膜，使用的特种气体有 SiH4、 PH3、NH3、NF3 等；干法刻蚀工序，在等离子气态氛围中选择性腐蚀基材，通常采用 SF6、 HCl、Cl2 等气体。
太阳能电池分为晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池，薄膜太阳能电池分为非晶硅 (a-Si)薄膜和非晶/微晶硅(a-Si/μc-Si)叠层薄膜。晶体硅电池片生产中的扩散工艺用 到 POCl3 和 O2，减反射层 PECVD 工艺用到 SiH4、NH3，刻蚀工艺用到 CF4；非晶硅太阳能 电池在 LPCVD 沉积 TCO 工序用到 DEZn、B2H6；非晶/微晶硅沉积工序用到 SiH4、PH3/H2、 TMB/H2、CH4、NF3 等。
