产品详情
基本参数/AO3401
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
Id时的Vgs(th)(最大):1.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 4.5V
在Vds时的输入电容(Ciss):1.4W
安装类型:表面贴装
英文描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述:的P -沟道增强型场效应晶体管
主营产品:深圳MOS管厂家,MOS管厂家,三极管厂家
数量(个) | 面议 |
1 |
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
Id时的Vgs(th)(最大):1.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 4.5V
在Vds时的输入电容(Ciss):1.4W
安装类型:表面贴装
英文描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述:的P -沟道增强型场效应晶体管
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