【华芯高工】LRC：S-LP98N06E2 车规级P沟道MOSFET 为智能电车出行注入高效动力

在新能源汽车高速发展的今天，车规级功率半导体器件的性能直接影响着整车系统的可靠性与效率。LRC推出的S-LP98N06E2车规级P    沟道功率MOSFET，凭借其卓越的电气性能、高可靠性及广泛适用性，成为车载电源管理、电机驱动等领域的理想选择，助力车企实现更高效、更安全的智能电动化转型。

核心参数：精准匹配严苛车规需求

S-LP98N06E2专为车载高压环境设计，具备以下关键参数优势：

• 高耐压能力：漏源击穿电压（V(BR)DSS）达-60V，可稳定应对汽车电气系统的高压波动，确保在复杂工况下的安全性。

• 低导通电阻：典型导通电阻（RDS(on)）仅为5.5mΩ，显著降低导通损耗，提升系统效率，尤其适合大电流场景下的高频开关应用。

• 高电流承载：最大连续漏极电流（ID）高达-98A，脉冲电流能力超-98A，满足电机驱动、车载充电等高功率需求。

• 快速开关性能：开关时间低至纳秒级，结合低栅极电荷（Qg），有效减少开关损耗，提升高频电路响应速。

• 优异热管理：结到环境热阻（RθJA）低至1.5°C/W，搭配TO-263封装，散热性能卓越，支持-40°C至175°C宽温域稳定运行。

功能特性：以可靠性赋能智能驾驶

S-LP98N06E2严格遵循车规级AEC-Q101认证标准，并通过ISO 26262功能安全流程认证，为汽车电子系统提供多重保障：

• 抗振动与耐久性：采用高可靠性封装工艺，通过机械振动、温度循环等严苛测试，适应汽车复杂环境下的长期稳定工作。

• 集成保护功能：内置雪崩能量耐受能力，配合过温、过流保护设计，有效预防系统异常导致的器件损坏。

• 低EMI设计：优化栅极驱动特性，减少高频噪声干扰，符合车载电子电磁兼容性（EMC）要求。

应用场景：覆盖电动化核心系统

S-LP98N06E2凭借其高性能与高可靠性，广泛应用于新能源汽车关键领域：

1. 电机驱动系统：作为逆变器核心开关元件，驱动永磁同步电机或直流电机，提升能效与响应速度。

2. 车载充电（OBC）与DC-DC转换：用于高压-低压电能转换模块，支持快充与高效能源分配。

3. 智能驾驶与ADAS：为摄像头、雷达等传感器供电，确保电源稳定性和瞬态响应，保障ADAS系统精准运行。

4. 车身控制与配电系统：驱动车窗、座椅调节等执行机构，或用于智能配电单元（如eFuse），实现精准电流控制与故障保护。

品牌优势：LRC的技术积淀与行业深耕

作为功率半导体领域的创新者，LRC依托十余年车规级芯片研发经验，构建了从设计、测试到量产的全流程车规品控体系。S-LP98N06E2的推出，不仅延续了LRC在低功耗、高集成度技术上的优势，更通过与全球主流车企及Tier 1供应商的深度合作，持续优化产品性能与成本，加速车规芯片国产化进程。

结语
LRC S-LP98N06E2以“高效、可靠、智能”为核心，为新能源汽车的电动化与智能化升级提供底层硬件支持。未来，LRC将持续深耕车规功率器件领域，推动更高效、更安全的出行解决方案落地，领行业迈向绿色智能新纪元。

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