主营产品：上海谐波减速机|哈默纳科|harmonic|NIKUNI|山洋
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| 详细参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型号 | CSF-11-50-2A-R, |
| 类型 | 无级减速器 | 载荷状态 | 强冲击载荷 |
| 传动比级数 | 双级 | 轴的相对位置 | 立式加速器 |
| 传动布置形式 | 同轴式 | 加工定制 | 是 |
| 样品或现货 | 现货 | 齿面硬度 | 软齿面 |
| 布局形式 | 三环式 | 用途 | 减速机 |
| 输入转速 | 3000rpm | 额定功率 | 360kw |
| 输出转速范围 | 50rpm | 许用扭矩 | 691N.m |
| 使用范围 | 矿产 | 减速比 | 45 |
| 产地 | 日本 | ||
在淀积过程中，硅片被送入高温扩散炉，日本HD高炉设备谐波CSF-11-50-2A-R杂质原子从材料源处转移到扩散炉内，炉温通常设为800~1000℃，持续时间10~30分钟，这时杂质处于硅片的表面，为防止杂质的流失，在硅的表面需要生成薄层氧化层。预淀积过程为扩散过程建立了浓度梯度，从表面深入到硅片的内部，日本HD高炉设备谐波CSF-11-50-2A-R杂质的浓度逐渐降低。热扩散的第二步是推进，其作用是使淀积的杂质穿过硅晶体，在硅片中达到一定的深度。推进温度在1000~1250℃。日本HD高炉设备谐波CSF-11-50-2A-R热扩散的第三步是激活，当温度进一步升高时，杂质原子与硅原子键合，从而改变硅的导电率。杂质只有在成为硅晶格的结构的一部分，才有助于形成半导体硅。
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