产品详情
红外激光划片机
产品介绍：
晶圆激光切割机/SA-IR20WD（底相机对准）型，相比传统机型，主要增加：底部相机、增加底部成像镜头、增加底部成像光源，可实现晶圆片底部对准，保留原有上相机更能，可实现正切和背切功能。
技术参数：
技术规格 项目 单位 数值
对准方式 底部对准，兼容顶部对准
最大加工尺寸 承片台 inch 4英寸
最大切割深度 单晶硅 um ≤150微米
激光器功率 w 20瓦
激光器波长 nm 1064nm红外
激光器 重复频率 KHZ 20千-60微米
切割速度 mm/s 150毫米每秒
切割参数 切割线宽 um 40-60微米
工作台承载方式 大理石 mm 厚度100毫米
最大耗电量 Kw 2.0千瓦
压缩空气供给压力 MPa 0.5-0.8兆帕
排风量（工厂自备） m³/min 3立方每分钟
设备尺寸（W*D*H） mm 980*1270*1740毫米
其他规格 设备重量 KG 660千克
排风口口径 mm 50毫米
红外激光不能切割玻璃，玻璃会有裂纹；
红外激光切割深度为80-90um，超过该深度裂片效果不佳，请在芯片工艺设计时，考虑片厚及沟槽深度，以决定所需要切割的硅总厚度。
产品介绍：
晶圆激光切割机/SA-IR20WD（底相机对准）型，相比传统机型，主要增加：底部相机、增加底部成像镜头、增加底部成像光源，可实现晶圆片底部对准，保留原有上相机更能，可实现正切和背切功能。
技术参数：
技术规格 项目 单位 数值
对准方式 底部对准，兼容顶部对准
最大加工尺寸 承片台 inch 4英寸
最大切割深度 单晶硅 um ≤150微米
激光器功率 w 20瓦
激光器波长 nm 1064nm红外
激光器 重复频率 KHZ 20千-60微米
切割速度 mm/s 150毫米每秒
切割参数 切割线宽 um 40-60微米
工作台承载方式 大理石 mm 厚度100毫米
最大耗电量 Kw 2.0千瓦
压缩空气供给压力 MPa 0.5-0.8兆帕
排风量（工厂自备） m³/min 3立方每分钟
设备尺寸（W*D*H） mm 980*1270*1740毫米
其他规格 设备重量 KG 660千克
排风口口径 mm 50毫米
红外激光不能切割玻璃，玻璃会有裂纹；
红外激光切割深度为80-90um，超过该深度裂片效果不佳，请在芯片工艺设计时，考虑片厚及沟槽深度，以决定所需要切割的硅总厚度。
