产品详情
产品名称
保护接地箱（JDB-B）
产品介绍
湖南长材电工科技有限公司生产的本产品适用于35kV /110kV/220kV及以下电力电缆的金属护层直接接地。采用不锈钢作为保护外壳，集不可拆、全密封、防盗性的特点。
产品特点
1、外壳采用高轻度的不锈钢制作，内部喷涂绝缘漆。
2、导体件镀银，接触电阻小。
3、接线端子与导电板或护层保护器，箱盖与箱体均采用不锈螺栓紧固，无需检测和维修。
4、护层保护器的更换简单快捷。
技术参数
产品名称
三相保护接地箱（JDB-B）
产品介绍
本产品适用于35kV /110kV/220kV及以下电力电缆的金属护层直接接地。采用不锈钢作为保护外壳，集不可拆、全密封、防盗性的特点。
产品特点
1、外壳采用高轻度的不锈钢制作，内部喷涂绝缘漆。
2、导体件镀银，接触电阻小。
3、接线端子与导电板或护层保护器，箱盖与箱体均采用不锈螺栓紧固，无需检测和维修。
4、护层保护器的更换简单快捷。
技术参数
产品名称
三相交叉互联箱（JHD-1）
产品介绍
本产品适用于高压单芯电力电缆的金属护套的交叉互联，限制护套和绝缘接头绝缘段两侧冲击过电压的升高，控制金属护套的感应电压，减少或消除护层上的环形电流，提高电缆的输送容量，防止电缆外护层击穿，确保电缆的安全运行。
产品特点
1、产品的箱体采用不锈钢及玻璃钢支撑，机械强度高，密封性能好。2、其内部接线板采用铜板镀银制成，导电性能优良，是一种安全可靠的接地装置。
3、体积小、重量轻、易安装。
4、护层保护器可进行更换。
技术参数
保护接地箱（JDB-B）
产品介绍
湖南长材电工科技有限公司生产的本产品适用于35kV /110kV/220kV及以下电力电缆的金属护层直接接地。采用不锈钢作为保护外壳，集不可拆、全密封、防盗性的特点。
产品特点
1、外壳采用高轻度的不锈钢制作，内部喷涂绝缘漆。
2、导体件镀银，接触电阻小。
3、接线端子与导电板或护层保护器，箱盖与箱体均采用不锈螺栓紧固，无需检测和维修。
4、护层保护器的更换简单快捷。
技术参数
| 序号 | 试验项目 | 单位 | 技术要求 |
| 1 | 直流耐压试验 | kV | 20kV、1min、不闪络、不击穿 |
| 2 | 冲击电压试验 | 峰值40kV、正负极性10次、不击穿、不闪络 | |
| 3 | 连接排与外壳间绝缘电阻试验 | 不少于20MΩ | |
| 4 | 连接排与外壳接触电阻试验 | 不少于20μΩ |
产品名称
三相保护接地箱（JDB-B）
产品介绍
本产品适用于35kV /110kV/220kV及以下电力电缆的金属护层直接接地。采用不锈钢作为保护外壳，集不可拆、全密封、防盗性的特点。
产品特点
1、外壳采用高轻度的不锈钢制作，内部喷涂绝缘漆。
2、导体件镀银，接触电阻小。
3、接线端子与导电板或护层保护器，箱盖与箱体均采用不锈螺栓紧固，无需检测和维修。
4、护层保护器的更换简单快捷。
技术参数
| 序号 | 试验项目 | 单位 | 技术要求 |
| 1 | 直流耐压试验 | kV | 20kV、1min、不闪络、不击穿 |
| 2 | 冲击电压试验 | 峰值40kV、正负极性10次、不击穿、不闪络 | |
| 3 | 连接排与外壳间绝缘电阻试验 | 不少于20MΩ | |
| 4 | 连接排与外壳接触电阻试验 | 不少于20μΩ |
三相交叉互联箱（JHD-1）
产品介绍
本产品适用于高压单芯电力电缆的金属护套的交叉互联，限制护套和绝缘接头绝缘段两侧冲击过电压的升高，控制金属护套的感应电压，减少或消除护层上的环形电流，提高电缆的输送容量，防止电缆外护层击穿，确保电缆的安全运行。
产品特点
1、产品的箱体采用不锈钢及玻璃钢支撑，机械强度高，密封性能好。2、其内部接线板采用铜板镀银制成，导电性能优良，是一种安全可靠的接地装置。
3、体积小、重量轻、易安装。
4、护层保护器可进行更换。
技术参数
| 序号 | 试验项目 | 单位 | 技术要求 | |
1 |
过电压限制器 |
基本结构 | 氧化锌型 | |
| 额定电压 | kV | 2.8 | ||
| 标称放电电流下的残压 | kV | 7 | ||
| 200μΩ方波电流 | A | 600 | ||
| 直流1mA参考电压 | kV | 4 | ||
| 4/10μΩ电流耐受 | kV | 100 | ||
| 标称放电电流 | kV | 10 | ||
2 |
交叉互联箱 |
防护等级 | TP68 | |
| 箱体材料 | 不锈钢 | |||
| 结构 | 三星共箱 | |||
| 直流耐压试验 | kV | 20kV、1min、不闪络、不击穿 | ||
| 冲击电压试验 | 峰值40kV、正负极性10次、不击穿、不闪络 | |||
| 连接排与外壳间绝缘电阻试验 | 不少于20MΩ | |||
| 连接排与外壳接触电阻试验 | 不少于20μΩ |
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