气体传感器介绍
按计算，在SnO2中加入3～5％ThO2，5％Sm2．在600℃H2气氛中烧结，制成厚膜器件，温度为400℃。则可作为CO器件。上右是烧结温度为600℃时气敏器件特性。可看出，温度在170～200℃内，对H2灵敏度曲线呈抛物线，而对CO改变温度则影响不大，因此，利用器件这一特性H2。而烧结温度为400℃制成器件，温度为200℃时，对H2、CO灵敏度曲线形状都近似呈直线，但对CO灵敏度要高得多，制成对CO敏感气体传感器。
气体传感器规格
气敏二极管特性曲线左移看作二极管导通电压发生改变，这一特性如果发生在场效应管栅极，将使场效应管阈值电压UT改变。利用这一制成MOSFET型气敏器件。
氢气敏MOSFET是典型气敏器件，它用金属钯Pd制成钯栅。在含有氢气气氛中，由于钯催化，氢气分子成氢原子扩散到钯与二氧化硅界面，终导致MOSFET阈值电压UT发生变化。时常将栅漏短接，保证MOSFET在饱和区，此时漏极电流ID=βUGS—UT2，利用这一电路测出氢气浓度。
气体传感器种类
由不同原子构成分子会有独特振动、转动频率，当其受到相同频率红外线照射时就会发生红外吸收，从而引起红外光强变化，通过测量红外线强度变化就测得气体浓度；是振动、转动是两种不同运动形态，这两种运动形态会对应不同红外吸收峰，振动和转动本身也有多性；因此下气体分子会有多个红外吸收峰；
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