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behlke高压开关
开关,电流取决于导通时间,可控硅晶闸管。 千安应用,充电和放电,撬棍。
开关,固定导通时间,标准,MOSFET。一般脉冲应用、充电和放电、脉冲电场。
开关,固定导通时间, 高di/dt,MOSFET。大电流、高频、的突发能力、快速充放电。
开关,固定导通时间,超快, MOSFET 。大电流、高di/dt 、中低频、超快充放电。
开关,固定导通时间,低导通电阻,沟槽 FET。 大电流,中速充放电。
开关,可变导通时间,标准,MOSFET。 一般脉冲和开关应用,快速上升时间,高频。
开关,可变导通时间,高 di/dt,MOSFET。 ^ hIGH在中等频率的电流,快速上升时间。
开关,可变导通时间,低电容,MOSFET。 低耦合电容。LC2 拓扑结构具有出色的瞬态抗扰度。
开关,可变导通时间,低导通电阻,碳化硅 FET 和沟槽 FET。 高电流、低导通损耗
开关,可变导通时间,交流 MOSFET。pos的双向开关。&否定。电压无极变化。交流高达 5 MHz。
开关,可变导通时间,IGBT。中等频率下的高 di/dt 和电流能力。真正的通断开关。
开关,可变导通时间,MCT 晶闸管。 中等频率下的高 di/dt 和电流能力。真正的通断开关。
开关,可变导通时间,推挽,MOSFET。半桥配置中的两个开关路径。真正的方波脉冲。
开关,可变导通时间,交流推挽,MOSFET。无极性变化的正负电压半桥。
高压脉冲发生器单元。实验室脉冲发生器单元、特殊用途的 OEM 脉冲发生器单元、普克尔斯电池驱动器。