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也就是说,即使晶圆大到6或8吋,但光罩大小还是小小的1~2吋见方哈默纳科光罩制备谐波CSF-17-80-2A-R ,一则光罩制备快速,二则小面积对准的问题也比较少;只是要曝满整片晶圆,要花上数十次「对准→曝光→移位」的重复动作。但即便如此,因每次「对准→曝光→移位」仅费时1秒左右,故一片晶圆的总曝光时间仍控制在1分钟以内哈默纳科光罩制备谐波CSF-17-80-2A-R,而保持了工厂的高投片率(highthrough-put;即单位时间内完成制作之硅芯片数。)
晶圆上微米厚度等级的光阻,是采用旋转离心(spin-coating)的方式涂布上去。光阻涂布机如图2-8所示。其典型程序包括:
(1)晶圆表面前处理(pre-baking):即在150°C下烘烤一段时间。哈默纳科光罩制备谐波CSF-17-80-2A-R若表面无氧化层,要另外先上助粘剂(primer)