产品详情
包邮 HF-125p 鸿冠5寸管道圆形风机
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产品特点: |
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| 1.标准的导流叶片 | ||||||
| 2.可以安装空间较狭小的地方 | ||||||
| 3.标准的过热保护 | ||||||
| 4.定时功能的设计 | ||||||
| 5.密封的滚珠轴承 | ||||||
| 6.电机防护等级：IP44和两年的保修期 | ||||||
| 优点: | ||||||
| 1.可移动的中心盒，易于清洗和保养 | ||||||
| 2.更多的功能，更方便的安装 | ||||||
| 3.可以安装在任何的排气管道上 | ||||||
| 4.可以选择两种速度 |
- 品牌/型号：鸿冠/HF125P
- 类型：混流式管道风机
- 品牌：鸿冠
- 型号：HF125P
- 加工定制：是
- 重量：1.8（kg）kg
- 材质：ABS
- 风量：248-284（m3/s）m3/s
- 气流方向：混流
- 电流：0.13-0.14（A）A
- 温控范围：300
- 输入功率：28-33（w）w
最小安装空间 大风量 高风压 低噪音 安装维护方便 纯铜线电机 双滚珠轴承 出口品泛应用于住宅，公寓，别墅，办公室，会议室，商场，宾馆，酒楼，电影院，歌舞厅，车站等场所。 防水等级IP44 适合长距离管道送风换气，风机质保一年. 
1基本说明
编辑指针的内容是存储地址在存储器中有大量的存储元，把它们按相同的位划分为组，组内所有的存储元同时进行读出或写入操作，这样的一组存储元称为一个存储单元。一个存储单元通常可以存放一个字节；存储单元是CPU访问存储器的基本单位。
2存储单元
编辑
在计算机中最小的信息单位是bit，也就是一个二进制位，8个bit组成一个Byte，也就是字节。一个存储单元可以存储一个字节，也就是8个二进制位。计算机的存储器容量是以字节为最小单位来计算的，对于一个有128个存储单元的存储器，可以说它的容量为128字节。如果有一个1KB的存储器则它有1024个存储单元，它的编号为从0－1023。存储器被划分成了若干个存储单元，每个存储单元都是从0开始顺序编号，如一个存储器有128个存储单元，则它的编号就是从0-127。
存储地址一般用十六进制数表示，而每一个存储器地址中又存放着一组二进制（或十六进制）表示的数，通常称为该地址的内容。值得注意的是，内储单元的地址和地址中的内容两者是不一样的。前者是存储单元的编号，表示存储器总的一个位置，而后者表示这个位置里存放的数据。正如一个是房间号码，一个是房间里住的人一样。
存放一个机器字的存储单元，通常称为字存储单元，相应的单元地址叫字地址。而存放一个字节的单元，称为字节存储单元，相应的地址称为字节地址。如果计算机中可以编址的最小单元是字存储单元，则该计算机称为按字寻址的计算机。如果计算机中可编址的最小单位是字节，则该计算机称为按字节寻址的计算机。如果机器字长等于存储器单元的位数，一个机器字可以包含数个字节，所以一个存储单元也可以包含数个能够单独编址的字节地址。例如一个16位二进制的字存储单元可存放两个字节，可以按字地址寻址，也可以按字节地址寻址。当用字节地址寻址时，16位的存储单元占两个字节地址。
3最小静态存储单元
编辑2008年8月18日，美国IBM公司、AMD以及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院（CNSE）等机构共同宣布，世界上首个22纳米节点有效静态随机存储器（SRAM）研制成功。这也是全世界首次宣布在300毫米研究设备环境下，制造出有效存储单元。SRAM芯片是更复杂的设备，比如微处理器的“先驱”。SRAM单元的尺寸更是半导体产业中的关键技术指标。最新的SRAM单元利用传统的六晶体管设计，仅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度缩小障碍。
新的研究工作是在纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院（CNSE）完成的，IBM及其他伙伴的许多顶尖的半导体研究都在这里进行。IBM科技研发部副总裁T.C.Chen博士称，“我们正在可能性的终极边缘进行研究，朝着先进的下一代半导体技术前进。新的研究成果对于不断驱动微电子设备小型化的追求，可以说至关重要。”
22纳米是芯片制造的下两代，而下一代是32纳米。在这方面，IBM及合作伙伴正在发展它们无与伦比的32纳米高K金属栅极工艺（high-Kblgatetechnology）。
从传统上而言，SRAM芯片通过缩小基本构建单元，来制造得更加紧密。IBM联盟的研究人员优化了SRAM单元的设计和电路图，从而提升了稳定性，此外，为了制造新型SRAM单元，他们还开发出几种新的制作工艺流程。研究人员利用高NA浸没式光刻（high-NAimmersionlithography）技术刻出了模式维度和密度，并且在先进的300毫米半导体研究环境中制作了相关部件。
与SRAM单元相关的关键技术包括：边带高K金属栅极、<25纳米栅极长度晶体管、超薄隔离结构（spacer）、共同掺杂、先进激活技术、极薄硅化物膜以及嵌入式铜触点等。
据悉，在2008年12月15至17日美国旧金山将要举行的IEEE国际电子设备（IEDM）年会上，还会有专门的报告来介绍最新成果的细节。
