产品详情
北京创源立晶科技有限责任公司至力于推广中国自主研发的晶闸管、平板型IGBT、功率模块、功率组件，旋转整流组件等产品。同时积极引进国外先进技术，提高研发生产能力。由我公司引进技术并研发生产的发电机旋转励磁整流组件，具有一至性好，高可靠性等特点，产品大量销往海外，并已成功应用于国内诸多汽轮发电机重大项目。
公司拥有先进的半导体器件检测设备，可控硅全动态试验台由美国GE公司及西安整流器研究所设计并完成装配。目前我公司可以为用户提供的3-110万千瓦汽轮发电机励磁装置旋转整流管和组件，为用户提供方便、可靠的产品与服务。公司设计制造了多种型材风冷、水冷、热管自冷式一体化功率单元，同时按照客户需求提供设计出图，生产制造、检测试验、产品认证等一站式服务。保证核心器件的一致性和可靠性，为用户提供真正意义的功率半导体解决方案。
北京创源立晶科技有限责任公司秉承快速反应、持续改进的工作作风，融入世界的发展战略，致力于提高品牌知名度的发展目标，建成国际一流、国内领先的功率半导体制造基地。公司未来将继续在高电压大电流、系统集成、技术领域寻求更大突破.公司全体员工将继续以严谨热情的态度为己任，同时热诚邀请广大用户及同行参观与交流，我们期待与您真诚的合作。
目前，本公司的主要产品是10-1350MW汽轮发电机用无刷励磁整流组件系列。
300MW-1350MW汽轮发电机旋转励磁整流组件借鉴了西屋公司技术与上海汽轮发电机有限公司联合研制的，技术参数指标达到或超过了原进口整流组件，我公司的旋转整流组件已经使用在核电和多台百万千瓦级发电机。
无刷励磁技术广泛应用于发电机和电动机，特别是大型发电机。由于整流组件与机组的励磁机转子固定一体，同步旋转，省去整流子、滑环和碳刷，所以具有有刷励磁无法比拟的优越性。
1不需要对滑环和碳刷的维护，可靠性高；
2没有碳粉和铜末引起的电机线圈的污染，绝缘寿命长；
3不产生磨擦火花，适于在条件恶劣的环境中运行。
旋转励磁整流组件由整流器、电容器、熔断器、散热器及导电件、绝缘件、紧固件等主要元器件和零部件组成。它具有体积小、功能强、技术含量高等优势，是一种集热学、力学和电学于一体的功能组件。
基于旋转励磁整流组件结构特殊和使用环境苛刻，本公司建立了一套完整的由中广核和西门子公司认可的质量管理体系。从材料选择、元器件筛选、外购件检验到加工工艺、安装工艺及检测都有严格的管理和检验。从而保证了本公司产品完全满足西门子公司的技术要求，长期而可靠地运行。
3万千瓦汽轮发电机旋转励磁整流组件
产品名称：30MW汽轮发电机旋转励磁整流组件
正向额定电流：400安；
正向峰值压降：1.20-1.25伏；
反向非重复峰值电压：2000伏；
反向重复峰值电压：2200伏；
连续额定最高结温：175℃；
离心加速度耐量：6000g
切向加速度耐量：±500g
本产品为以生活垃圾或余热为能源的2—3万千瓦汽轮发电机组而专门研制生产的旋转励磁整流组件。
产品由整流器、熔断器、散热器及紧固件、绝缘件、导电导热件和保护电路组成。它具有体积小、容量大、重量轻、可靠性高、安装组合方便等优点。特别适合于垃圾电厂和石油、化工等利用余热发电的场合。
5-15万千瓦空冷汽轮发电机旋转励磁整流组件
5—15万千瓦汽轮发电机组技术参数如下：
产品名称：5—15MW汽轮发电机旋转励磁整流组件
正向额定电流： 400安；
正向峰值压降：1.20-1.25伏；
反向非重复峰值电压：2000伏；
反向重复峰值电压：2200伏；
连续额定最高结温：175℃；
离心加速度耐量：6000g
切向加速度耐量：±500g
本产品为5万—15万千瓦空冷汽轮发电机组件无刷励磁专用。
该产品是依托西门子西屋公司的空冷汽轮发电机组无刷励磁技术与上海汽轮发电机有限公司联合开发成功生产的，主要应用于5—15万千瓦空冷汽轮发电机组的无刷励磁系统。本产品结构科学合理，体积小，重量轻，安装方便，可靠性高，整流元件正向特性一致性好，每个单元构成一个独立的整流桥臂，可根据需要灵活组成所需系统。可长期在内径为755.64mm的旋转整流盘以3000转/分钟条件下长期、安全、可靠的工作。该组件所用整流元件为美国进口元件，与60万千瓦、30万千瓦汽轮发电机组用旋转励磁整流组件所采用的元件相同。亦专门与该组件配套使用的旋转熔断器。
30万千汽轮发电机旋转励磁整流组件
产品名称：300MW汽轮发电机旋转励磁整流组件
正向额定电流： 400安
正向峰值压降：小于 1.20-1.25伏（±0.025伏）；
反向非重复峰值电压：2000伏；
反向重复峰值电压：2200伏；
连续额定最高结温：175℃；
离心加速度耐量：6000g
切向加速度耐量：±500g
最高结温：175℃；
重量：3316克±3克（3316克左右）
电容器：0.3uF±5% 4000V ZXC
电容器熔断器：15A 1000V AC
组件由整流器、电容器、熔断器、散热器及紧固件、绝缘件、导电导热件和保护电路组成。可长期在直径近一米的旋转整流盘上3000转/分钟（或超速3300转/分钟60秒）的条件下安全、可靠的运行。目前，本产品除整流二极管为从美国进口外，其余全部为国产零部件。产品外观见照片。
60万千瓦汽轮发电机旋转励磁整流组件
产品名称：100MW汽轮发电机旋转励磁整流组件
该组件主要技术参数如下：
额定电流：400安；
额定电压：2000伏；
正向压降：1.20±0.025伏；
结温：175℃
离心加速度耐量：6000g；
切向加速度耐量：±500g；
本产品为60万千瓦汽轮发电机旋转励磁专用产品，用于国产60万千瓦汽轮发电机的励磁机。该组件的开发生产是利用引进美国西屋公司技术与上海汽轮发电机有限公司联合研制成功的。
组件由整流器、电容器、熔断器、散热器及紧固件、绝缘件、导电电热件和保护电路组成。可长期在直径近一米的旋转整流盘上3000转/分钟（或超速3300转/分钟60秒）的条件下安全、可靠的运行。
目前，本产品除整流二极管为从美国进口外，其余全部为国产零部件。产品外观见照片
100万千瓦汽轮发电机旋转励磁整流组件
本产品为100万千瓦汽轮发电机旋转励磁专用产品，用于国产100万千瓦汽轮发电机的励磁机。该组件的开发生产是利用引进美国西屋公司技术与上海汽轮发电机有限公司联合研制成功的。2006年到2008年我公司已经为上海汽轮发电机有限公司配套16台100万千瓦励磁机整流组件（每台60只整流组件），其中10台已经并网发电，至今都在安全正常运行。进口组件相比，无论从外观还是热、电、机等特性上，均优于进口组件。本产品为进口组件的完全替代产品，实现了国产大型发电机用旋转励磁整流组件的国产化,组件由整流器、散热器及紧固件、绝缘件、导电电热件和保护电路组成。可长期在直径近一米的旋转整流盘上3000转/分钟（或超速3600转/分钟60秒）的条件下安全、可靠的运行。
目前，本产品除整流二极管为从美国进口外，其余全部为国产零部件。产品外观见照片.
TZXR型、ZL型防爆同步电机旋转励磁整流组件
正向额定电流：200—400安；
正向峰值压降：1.20-1.38伏；
正向非重复峰值电压：3200伏；
正向重复峰值电压：3000伏；；
反向非重复峰值电压：3200伏；
反向重复峰值电压：3000伏；
门极触发电流：50—100毫安；
门极触发电压：≤3伏；
离心加速度耐量：400g
切向加速度耐量：±200g
该产品是应用于WLK—03B型防爆同步电机旋转整流组件。
组件由整流器、晶闸管、熔断器、散热器及紧固件、绝缘件、导电导热件和触发保护电路组成。
它具有防爆、可靠性高、安装组合方便、失步自整同步等优点。特别是防爆水平达到国家防爆的要求。特别适合于周围有可燃性气体的危险环境。现已应用于石油、化工等要求防爆的场合。
旋转励磁整流元件产品介绍
1、国标旋转整流管命名
ZX-500-Δ-ΔΔ：ZX-该项字母表示整流特性；500-该项数字表示IF(AV)；Δ该项表示极性，R表示负极性(底座为阳极),P：表示正极性(底座为阴极）；ΔΔ该项数字的100倍表示VRRM.
注：国外表示极性符号还有：R和S组合；U和ZX组合，其中R、U表示负极性（底座为阳极），S、ZX表示正极性（底座为阴极）。以上按国际通用标准命名。
2、通用旋转整流管参数
特点：可在较大离心力作用下工作。
应用： 使用于同步发电机和电动机旋转励磁装置。
型号: ZX16、ZX25、ZX40、ZX70、ZX100、ZX200、ZX200、ZX300、ZX300、ZX400、ZX400、ZX500、ZX500、ZX800、ZX800、ZX860
外形尺寸请对照产品图纸。
型号 额定电流 额定电压
ZX16 16A 800V-1600V
ZX25 25A 800V-1600V
ZX40 40A 800V-1600V
ZX70 70A 800V-1600V
ZX100 100A 800V-1600V
ZX200 200A 800V-1600V
ZX200 200A 1800V-3000V
ZX300 300A 800V-1600V
ZX300 300A 1800V-3000V
ZX400 400A 800V-1600V
ZX400 400A 1800V-3000V
ZX500 500A 800V-1600V
ZX500 500A 1800V-3000V
ZX800 800A 800V-1600V
ZX800 800A 1800V-3000V
ZX860 860A 1800V-2700V
产品名称：平板型IGBT CGF800/1700PcS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=1700（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=800（A）ICP=1600（A）
集电极耗散功率 PC=4440（W）
工作结温 Tj=－20~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±5（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=250（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=6(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=10(V)
开通时间 Ton=2.5μs
关断时间 Toff=3μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
产品名称：平板型IGBT CGD1100/1700PcS
产品特性：
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值(25℃）
集电极-发射极电压 VCES=1700(V)
栅极-发射极电压 VGES=±20(V)
集电极电流 IC＝1100(A)ICP=2200(A)
集电极耗散功率 PC=6216(W)
工作结温 Tj=－20~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC=125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±5（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=250（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=6(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=10(V)
开通时间 Ton=2.5μs
关断时间 Toff=3μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
产品名称：平板型IGBT CGF160/4500PFS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=4500（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=160（A）ICP=320（A）
集电极耗散功率 PC=1270（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±20（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=30（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=2.9(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=6.3(V)
开通时间 Ton=6.9μs
关断时间 Toff=4.8μs
二极管正向压降 VF=2.8 V
二极管反向恢复时间 Trr=3.5 μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
产品名称：平板型IGBT CGF340/4500PHS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=4500（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=340（A）ICP=680（A）
集电极耗散功率 PC=2700（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±7（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=25（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=3.9(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=5.2(V)
开通时间 Ton=6.9μs
关断时间 Toff=4.8μs
二极管正向压降 VF=3.8 V
二极管反向恢复时间 Trr=3.2 μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
产品名称：平板型IGBT CGF350/3300PFS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=3300（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=350（A）ICP=700（A）
集电极耗散功率 PC=4500（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±5（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=200（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=6.5(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=6.0(V)
开通时间 Ton=1.5μs
关断时间 Toff=4.5μs
二极管正向压降 VF= 3.5V
二极管反向恢复时间 Trr= 1.0μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
产品名称：平板型IGBT CGF360/2500PfS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=2500（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=360（A）ICP=720（A）
集电极耗散功率 PC=1800（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±7（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=10（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=2.4(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=6.3(V)
开通时间 Ton=3.0μs
关断时间 Toff=8.8μs
二极管正向压降 VF=2.35 V
二极管反向恢复时间 Trr= 1.0μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
产品名称：平板型IGBT CGF500/2500PfS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=2500（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=500（A）ICP=1000（A）
集电极耗散功率 PC=2600（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±8（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=15（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=3.2(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=6.3(V)
开通时间 Ton=3.5μs
关断时间 Toff=10μs
二极管正向压降 VF=3.5 V
二极管反向恢复时间 Trr=2.5 μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
产品名称：平板型IGBT CGF510/4500PHS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=4500（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=510（A）ICP=1020（A）
集电极耗散功率 PC=4100（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±10（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=35（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=4.0(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=5.2(V)
开通时间 Ton=7.1μs
关断时间 Toff=5.0μs
二极管正向压降 VF=3.5 V
二极管反向恢复时间 Trr=3.8 μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
产品名称：平板型IGBT CGF600/3300PHS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=3300（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=600（A）ICP=1200（A）
集电极耗散功率 PC=7400（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±5（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=200（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=4.5(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=6.0(V)
开通时间 Ton=1.5μs
关断时间 Toff=3.9μs
二极管正向压降 VF=3.5 V
二极管反向恢复时间 Trr=1.0 μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
产品名称：平板型IGBT CGF600/4500PfS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=4500（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=600（A）ICP=1200（A）
集电极耗散功率 PC=4800（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±7（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=25（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=4.1(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=5.3(V)
开通时间 Ton=3.5μs
关断时间 Toff=3.0μs
二极管正向压降 VF=4.2 V
二极管反向恢复时间 Trr=2.5 μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
产品名称：平板型IGBT CGF800/2500PHS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=2500（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=800（A）ICP=1600（A）
集电极耗散功率 PC=4400（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±15（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=25（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=3.2(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=6.3(V)
开通时间 Ton=3.5μs
关断时间 Toff=9.8μs
二极管正向压降 VF=3.2 V
二极管反向恢复时间 Trr=1.0 μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
产品名称：平板型IGBT CGF800/4500PLS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=4500（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=800（A）ICP=1600（A）
集电极耗散功率 PC=6400（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±15（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=50（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=3.9(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=(V)
开通时间 Ton=3.5μs
关断时间 Toff=3.0μs
二极管正向压降 VF=3.8 V
二极管反向恢复时间 Trr=3.5 μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
产品名称：平板型IGBT CGF1000/2500PJS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=2500（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=1000（A）ICP=2000（A）
集电极耗散功率 PC=4800（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±15（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=25（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=3.2(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=6.3(V)
开通时间 Ton=3.2μs
关断时间 Toff=9.8μs
二极管正向压降 VF= 3.2V
二极管反向恢复时间 Trr=1.0 μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
产品名称：平板型IGBT CGF1000/3300PJS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=3300（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=1000（A）ICP=2000（A）
集电极耗散功率 PC=12250（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±5（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=200（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=6.5(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=6.0(V)
开通时间 Ton=2.5μs
关断时间 Toff=4.5μs
二极管正向压降 VF=3.5 V
二极管反向恢复时间 Trr=1.0 μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
产品名称：平板型IGBT CGF1000/4500PLS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=4500（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=1000（A）ICP=2000（A）
集电极耗散功率 PC=7700（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±15（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=50（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=3.9(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=5.2(V)
开通时间 Ton=5.5μs
关断时间 Toff=5.5μs
二极管正向压降 VF=3.8 V
二极管反向恢复时间 Trr=2.0 μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
产品名称：平板型IGBT CGF1200/2500PJS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=2500（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=1200（A）ICP=2400（A）
集电极耗散功率 PC=5900（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±20（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=30（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=3.3(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=6.3(V)
开通时间 Ton=3.5μs
关断时间 Toff=9.8μs
二极管正向压降 VF=2.8 V
二极管反向恢复时间 Trr=1.2 μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
产品名称：平板型IGBT CGF1200/3300PLS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=3300（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=1200（A）ICP=2400（A）
集电极耗散功率 PC=14500（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±5（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=250（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=6(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=10(V)
开通时间 Ton=2.5μs
关断时间 Toff=3μs
二极管正向压降 VF=3.5 V
二极管反向恢复时间 Trr=2.5 μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
产品名称：平板型IGBT CGF1500/2500PJS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=2500（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=1500（A）ICP=3000（A）
集电极耗散功率 PC=7800（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±25（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=40（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=3.2(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=6.3(V)
开通时间 Ton=3.5μs
关断时间 Toff=5.8μs
二极管正向压降 VF=2.9 V
二极管反向恢复时间 Trr=1.2 μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
