产品详情
IGBT技术不断发展，其结构和工艺技术也发生了较大的变化。IGBT的结构发展经历了穿透型（PT）、非穿透型（NPT）以及场终止型（TFS）。随着结构的不断升级，其产品技术特性也得到了不断发展，从在穿透型的IGBT升级到具有关断速度、开关损耗*低以及*加**的非穿透型，再到芯片*薄、导通损耗*低以及开关损耗*低的场终止型。 FF450R17ME4为英飞凌EconoDUAL™ 3模块，采用沟槽栅/场终止IGBT4和**控制二*管，带有温度检测NTC。FF450R17ME4电压为1700 V，电流为450A。其目标应用包括：工业电子产品的众多功率应用中，包括工业驱动与运动控制硬件、太阳能逆变器、不间断电源／开关电源和焊接机械。这个新的IGBT模块满足了市场对具备*高功率和较高可靠性的紧凑式IGBT模块与日俱增的需求。FF450R17ME4采用了巧妙的优化芯片布局和模块设计。这种**封装概念，提高了散热性，降低了基板与散热器之间的热阻，并且较大限度地减小了内部漏感。 FF450R17ME4模块的关键优势：*低损耗，确保率及开关速度；高**性带来了严苛应用环境下的高可靠性，高短路能力降低了保护需求；正温度系数器件可轻松并联以提高电流处理能力；**续流二*管提供紧凑模块封装形式的一体化方案。 FF450R17ME4规格参数 产品种类: IGBT 模块 制造商: Infineon 产品: IGBT Silicon Modules 配置: Dual 集电*—发射*较大电压 VCEO: 1700 V 集电*—射*饱和电压: 2.3 V 在25 C的连续集电*电流: 600 A 栅*—射*漏泄电流: 400 nA Pd-功率耗散: 2500 W 较大工作温度: + 150 C 商标: Infineon Technologies 栅*/发射*较大电压: +/- 20 V 较小工作温度: - 40 C 安装风格: Screw 工厂包装数量: 10
