针对二维器件仿真软件的研究
sicvdmosfet的一个限制因素是击穿电压提高和导通电阻降低存在矛盾，导通电阻与击穿电压的2.43次方成正比.而超结和半超结可以改进这种关系.“超结理论”由tatsuhiko等1997年提出，其关键结构由交替的n柱和p柱组成，加入超结和半超结结构可以大大提高vdmos的击穿电压，降低导通电阻。但是超结和半超结不允许n柱和p柱掺杂浓度有太大偏差，柱区电荷失配（chargeimbalance）会导致反向阻断特性降低，器件性能变差。而sic注入深度浅，需要多次交替离子注入和外延生长，增加了制造柱区的工艺难度。在si器件中，无论是超结器件还是半超结器件，电荷失配越严重，击穿电压越低，击穿电压在n柱与p柱掺杂浓度相等时达到最大.而在sic器件中，yu等也对超结结构的电荷失配进行了研究，得出了类似的结果，但是对于电荷失配对半超结vdmosfet的影响还缺乏相关报道。
本文通过使用二维器件仿真软件isedessise研究了电荷失配对4h-sic半超结和超结vdmosfet反向击穿特性的影响。sic半超结vdmosfet的最大击穿电压的偏移是由p阱和衬底辅助层的存在导致的。p阱和衬底辅助层的存在使超结结构上下部分不对称，因此p阱附近的电场和衬底辅助层内的电场对器件内部的电势分布造成了影响。理想情况下，如果n柱和p柱掺杂浓度相同，击穿电压最高，半超结结构的电场分布如图3所示，柱区电场大小自上而下基本不变。
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